作為華虹集團在上海市域外布局的第一個集研發與生產于一體的制造基地，華虹無錫集成電路研發和制造基地一期項目6月6日迎來重要階段性成果，由華虹半導體(無錫)有限公司承擔的12英寸生產線(華虹七廠)成功實現首批光刻機搬入，標志著華虹七廠建設邁上一個新臺階，為今年9月份建成投片奠定了基礎。
華虹集團是國家“909”工程的成果與載體。2017年8月，華虹集團與無錫市政府簽署戰略合作協議，總投資約100億美元的華虹集團集成電路研發和制造基地項目正式落戶無錫高新區。華虹無錫項目一期投資25億美元，主要建設一條工藝等級為90-55納米、月產4萬片的12英寸特色工藝生產線，將開發生產智能卡芯片、微控制器芯片、電源管理芯片及系統集成芯片等產品。
自2018年3月開工至今，華虹七廠主要工程節點較原計劃大幅提前。目前主廠房已完成凈化裝修，相關配套機電設備準備就緒，具備了工藝設備搬入條件。今年5月24日，華虹七廠實現首臺工藝設備的搬入，6月6日又迎來生產線最關鍵的首批光刻機的搬入。
據專家介紹，光刻機是芯片制造過程中的核心設備，它定義了整條生產線的工藝水平。芯片制造是通過光刻把圖形復制到硅片上的過程，圖形最小尺寸取決于光刻機水平。華虹無錫項目工藝等級為55nm，所選用光刻機由荷蘭ASML公司生產，在55nm節點其技術是目前最廣泛應用的成熟產品。隨著光刻機的搬入，華虹七廠生產線建設進入到設備全面安裝調試階段，朝著年內實現量產又邁進了一大步。
華虹七廠廠長倪立華告訴記者，在接下來的一個半月時間里，無錫七廠的后續設備將不間斷密集搬入并完成安裝調試。工廠將力爭在8月份實現工藝線貫通，9月份完成產品試片，年內實現規模出貨。
集成電路代工企業在技術上通常有兩條戰略發展路線，一條是沿著“摩爾定律”不斷微細化發展，一條是沿著“超摩爾定律”發展特色工藝。近年來，華虹集團一方面堅持在“摩爾定律”路線上不斷研發先進工藝技術，同時堅持在“超摩爾定律”方面不斷發展。華虹無錫項目正是華虹8英寸“超摩爾定律”特色工藝平臺在12英寸上的進一步延伸，它瞄準的終端應用包括5G通信、物聯網以及汽車電子等領域，這也與無錫市的產業發展定位和走向非常契合。
華虹無錫項目的啟動建設，將使無錫成為全國集成電路高端生產線最密集地區之一，鞏固無錫作為“國家南方微電子工業基地中心”地位，也將進一步奠定無錫高新區在全國集成電路領域的領先位置。同時，無錫正在打造以物聯網為龍頭的新一代信息技術產業高地，華虹的到來，也將為無錫智慧城市建設提供有力支撐。無錫市副市長王進健表示，將把華虹無錫項目作為產業高質量發展的“頭號工程”，以更大力度支持華虹集團在無錫高新區的業務發展。
自1996年成立以來，華虹集團一直是我國發展自主可控集成電路產業的先行者和主力軍。華虹進入無錫后，無錫的通用半導體制造技術將從8英寸時代進入12英寸時代，工藝技術能力也將由之前的0.13微米提升至55納米節點。華虹無錫基地也是無錫迄今為止單體投資最大的產業項目。
華虹集團總裁王靖表示，華虹無錫項目的布局，是華虹集團全面貫徹落實長三角區域經濟一體化發展、推動經濟實現高質量發展的重要舉措，也是深化貫徹落實打響“上海制造”品牌建設的重要抓手。
近日，我國正式發放5G商用牌照，加速進入5G時代。據倪立華介紹，智慧城市的根基以及物聯網的發展離不開5G技術支撐，華虹無錫項目瞄準的終端應用包括5G、物聯網等新興應用領域，規劃技術路線包含邏輯與射頻、嵌入式非易失性存儲器以及電源管理。隨著5G商用時點的臨近，5G射頻芯片迎來黃金發展期。華虹無錫(半導體)有限公司也將基于華虹宏力成熟的射頻CMOS工藝，以及RF SOI與鍺硅BiCMOS工藝等，為無錫打造以物聯網為龍頭的新一代信息技術產業高地貢獻力量。(高少華 陳杰)
